Dettagli:
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Tensione in ingresso (v): | R=2.0-2.4V G=3.0-3.4V B=3.0-3.4V W=3.0-3.4V | Tipo: | SMD LED |
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Orario di lavoro (ore): | 10000 | Temperatura di stoccaggio (℃): | -40 - 110 |
Substrato: | Ceramico | VANTAGGIO DI PROGETTAZIONE: | Alto passaggio di ESD; Chip standard della classe A; Legame del cavo dell'oro. |
Evidenziare: | Chip principale della luce 3535 della fase,Chip di alto potere LED di RGBW 4w,Chip della luce RGBWW LED della fase |
Potere | 5-150W |
Il TDC | 2700-6500K |
LM/W | 120-140 |
VF | 24-38V |
SE | 1100-1500mA, 1350-2200mA |
Circuito | 12S8P, 12S12P |
Intera dimensione | 35X35MM |
Emetta la dimensione | R23MM |
Angolo di vista | 120° |
Istruzione Autodidattica | 70/80/90/95 |
Substrato | Super-alluminio |
Vantaggio di progettazione | 1, ad alta densità 2, serie intera di alto potere 3, resistenza termica bassa 4, SDCM<5> 5, Istruzione Autodidattica disponibile in 80/90/95+ 6, tecnologia del chip di vibrazione 7, buona stabilità |
Applicazione | 1, riflettore del LED 2, luce dell'automobile del LED 3, downlight del LED 4, LED che segue luce 5, lampada da parete del LED 6, lampadina del LED 7, proiettore del LED 8, lampione del LED |
Persona di contatto: Devin
Telefono: +86-15818602704